Показать сообщение отдельно
Непрочитано 16.09.2019, 15:56   #19
Allex.k
Мужской Опытный
 
Регистрация: 29.07.2008
Адрес: Киев
Цитата (Smirnoff) »
Имеешь инсайдерскую информацию от разработчиков/производителей?
Физику NAND Flash никто не отменял.


Цитата (Smirnoff) »
А мне вот кажется, что в режиме псевдо-SLC зарядка ячейки производится не до стандартного для настоящего SLC уровня, а лишь до 1/8 (для TLC) или вовсе до 1/16 (для QLC).
Нереально. Именно по-максимуму - это и быстрее, и надежнее. Точное допрограммирование мелкими уровнями делается сильно пониженными напряжениями - именно потому трехступенчатое програмирование TLC памяти не в полтора раза дольше двухступенчатого программирования MLC, а, если мне не изменяет мой склероз, раз в пять.

Цитата (Smirnoff) »
Именно за счёт того, что схемы, предназначенные для MLC/TLC/QLC не в состоянии быстро зарядить ячейку полным зарядом - и ограничиваются 1/4, 1/8 и 1/16 от полного уровня соответственно (зато - быстро ).
Как раз наоборот. ;+))

Почитай, как работает TLC/QLC флеш...

Только Samsung говорит, что у него заряд сразу идет до нужного уровня - потому у него память и быстрее, чем у остальных. Но, я так понимаю, он эту технологию запатентовал (одновременного заряда и контроля уровня) и другим не дает. Но даже и у него для получения точности заряжать приходится пониженным напряжением, потому его QLC заметно медленнее его же TLC.

Цитата (Smirnoff) »
Потому и настаиваю на уместности термина "псевдо".
Как хочешь... Но в реальности - там от "настоящего" SLC отличий минимум. Просто не запускаются хитрые многоступенчатые процессы, а вместо них всех на ячейку подается максимальное напряжение записи и все.
Allex.k вне форума  
Ответить с цитированием